पावर MOSFET और IGBT के संबंध में निम्नलिखित कथनों पर विचार करें:1.MOSFETs में प्रतिरोध का सकारात्मक तापमान गुणांक होता है, जिससे उन्हें समानांतर करना आसान हो जाता है।2.आईजीबीटी टर्न-ऑफ के दौरान "करंट टेलिंग" प्रदर्शित करते हैं, जिससे स्विचिंग हानि बढ़ जाती है।3.200 किलोहर्ट्ज़ से ऊपर स्विचिंग आवृत्तियों के साथ कम-शक्ति अनुप्रयोगों के लिए आईजीबीटी की तुलना में एमओएसएफईटी को प्राथमिकता दी जाती है।4.दोनों डिवाइस करंट-नियंत्रित अर्धचालक स्विच हैं।ऊपर दिए गए कथनों में से कौन सा सही है?
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पावर MOSFETs बहुसंख्यक-वाहक, तेज़ स्विचिंग और ऑन-प्रतिरोध के सकारात्मक तापमान गुणांक वाले वोल्टेज-नियंत्रित उपकरण हैं जो समानांतर में वर्तमान साझाकरण में सहायता करते हैं। आईजीबीटी एमओएस-गेट ड्राइव को द्विध्रुवी चालन के साथ जोड़ते हैं और टर्न-ऑफ पर टेल करंट प्रदर्शित करते हैं, जिससे वे उच्च वोल्टेज/पावर पर आकर्षक होते हैं लेकिन आमतौर पर एमओएसएफईटी की तुलना में कम स्विचिंग आवृत्ति होती है।
परीक्षा फोकस: उच्च आवृत्ति निम्न/मध्यम वोल्टेज → MOSFET; उच्च वोल्टेज/शक्ति → अक्सर आईजीबीटी। सामान्य जाल: MOSFET और IGBT दोनों करंट-नियंत्रित उपकरण नहीं हैं।
सही उत्तर: ए - केवल 1, 2 और 3त्वरित अवधारणा स्पष्टीकरणपावर MOSFETs बहुसंख्यक-वाहक, तेज़ स्विचिंग और ऑन-प्रतिरोध के सकारात्मक तापमान गुणांक वाले वोल्टेज-नियंत्रित उपकरण हैं जो समानांतर में वर्तमान साझाकरण में सहायता करते हैं। आईजीबीटी एमओएस-गेट ड्राइव को द्विध्रुवी चालन के साथ जोड़ते हैं और टर्न-ऑफ पर टेल करंट प्रदर्शित करते हैं, जिससे वे उच्च वोल्टेज/पावर पर आकर्षक होते हैं लेकिन आमतौर पर एमओएसएफईटी की तुलना में कम स्विचिंग आवृत्ति होती है।परीक्षा फोकस: उच्च आवृत्ति निम्न/मध्यम वोल्टेज → MOSFET; उच्च वोल्टेज/शक्ति → अक्सर आईजीबीटी। सामान्य जाल: MOSFET और IGBT दोनों करंट-नियंत्रित उपकरण नहीं हैं।विवरण-वार सत्यापनकथन 1 - सही।MOSFETs में प्रतिरोध…
सही उत्तर: ए - केवल 1, 2 और 3
त्वरित अवधारणा स्पष्टीकरण
पावर MOSFETs बहुसंख्यक-वाहक, तेज़ स्विचिंग और ऑन-प्रतिरोध के सकारात्मक तापमान गुणांक वाले वोल्टेज-नियंत्रित उपकरण हैं जो समानांतर में वर्तमान साझाकरण में सहायता करते हैं। आईजीबीटी एमओएस-गेट ड्राइव को द्विध्रुवी चालन के साथ जोड़ते हैं और टर्न-ऑफ पर टेल करंट प्रदर्शित करते हैं, जिससे वे उच्च वोल्टेज/पावर पर आकर्षक होते हैं लेकिन आमतौर पर एमओएसएफईटी की तुलना में कम स्विचिंग आवृत्ति होती है।
परीक्षा फोकस: उच्च आवृत्ति निम्न/मध्यम वोल्टेज → MOSFET; उच्च वोल्टेज/शक्ति → अक्सर आईजीबीटी। सामान्य जाल: MOSFET और IGBT दोनों करंट-नियंत्रित उपकरण नहीं हैं।
विवरण-वार सत्यापन
कथन 1 - सही। MOSFETs में प्रतिरोध का सकारात्मक तापमान गुणांक होता है, जिससे उन्हें समानांतर करना आसान हो जाता है। पावर MOSFETs बहुसंख्यक-वाहक, तेज़ स्विचिंग और ऑन-प्रतिरोध के सकारात्मक तापमान गुणांक वाले वोल्टेज-नियंत्रित उपकरण हैं जो समानांतर में वर्तमान साझाकरण में सहायता करते हैं।
कथन 2 - सही। आईजीबीटी टर्न-ऑफ के दौरान "करंट टेलिंग" प्रदर्शित करते हैं, जिससे स्विचिंग हानि बढ़ जाती है। आईजीबीटी एमओएस-गेट ड्राइव को द्विध्रुवी चालन के साथ जोड़ते हैं और टर्न-ऑफ पर टेल करंट प्रदर्शित करते हैं, जिससे वे उच्च वोल्टेज/पावर पर आकर्षक होते हैं लेकिन आमतौर पर एमओएसएफईटी की तुलना में कम स्विचिंग आवृत्ति होती है।
कथन 3 - सही। 200 किलोहर्ट्ज़ से ऊपर स्विचिंग आवृत्तियों के साथ कम-शक्ति अनुप्रयोगों के लिए आईजीबीटी की तुलना में एमओएसएफईटी को प्राथमिकता दी जाती है। आईजीबीटी एमओएस-गेट ड्राइव को द्विध्रुवी चालन के साथ जोड़ते हैं और टर्न-ऑफ पर टेल करंट प्रदर्शित करते हैं, जिससे वे उच्च वोल्टेज/पावर पर आकर्षक होते हैं लेकिन आमतौर पर एमओएसएफईटी की तुलना में कम स्विचिंग आवृत्ति होती है।
कथन 4 - ग़लत। दोनों डिवाइस करंट-नियंत्रित अर्धचालक स्विच हैं। MOSFETs और IGBTs गेट-वोल्टेज/चार्ज-नियंत्रित बिजली उपकरण हैं
मूल संकल्पना
पावर MOSFETs बहुसंख्यक-वाहक, तेज़ स्विचिंग और ऑन-प्रतिरोध के सकारात्मक तापमान गुणांक वाले वोल्टेज-नियंत्रित उपकरण हैं जो समानांतर में वर्तमान साझाकरण में सहायता करते हैं। आईजीबीटी एमओएस-गेट ड्राइव को द्विध्रुवी चालन के साथ जोड़ते हैं और टर्न-ऑफ पर टेल करंट प्रदर्शित करते हैं, जिससे वे उच्च वोल्टेज/पावर पर आकर्षक होते हैं लेकिन आमतौर पर एमओएसएफईटी की तुलना में कम स्विचिंग आवृत्ति होती है।
विकल्प बी गलत है क्योंकि इसमें गलत कथन 4 शामिल हैं और सही कथन छोड़ दिए गए हैं 1. विकल्प सी गलत है क्योंकि इसमें सही कथन छोड़ दिए गए हैं 2. विकल्प डी गलत है क्योंकि इसमें गलत कथन शामिल हैं 4.
परीक्षा शॉर्टकट/दृष्टिकोण
उच्च आवृत्ति निम्न/मध्यम वोल्टेज → MOSFET; उच्च वोल्टेज/शक्ति → अक्सर आईजीबीटी।
सामान्य गलती
MOSFET और IGBT दोनों ही करंट-नियंत्रित डिवाइस नहीं हैं।
त्वरित संशोधन
विशेषताओं को बदलना और समानान्तर करनाMOSFET और IGBT, पावर सेमीकंडक्टर डिवाइस और पावर इलेक्ट्रॉनिक्स से जुड़ा हुआ है। उच्च आवृत्ति निम्न/मध्यम वोल्टेज → MOSFET; उच्च वोल्टेज/शक्ति → अक्सर आईजीबीटी।
क्विक ट्रिक
उच्च आवृत्ति निम्न/मध्यम वोल्टेज → MOSFET; उच्च वोल्टेज/शक्ति → अक्सर आईजीबीटी।
दूसरे विकल्प गलत क्यों हैं
विकल्प बी गलत है क्योंकि इसमें गलत कथन 4 शामिल हैं और सही कथन छोड़ दिए गए हैं 1. विकल्प सी गलत है क्योंकि इसमें सही कथन छोड़ दिए गए हैं 2. विकल्प डी गलत है क्योंकि इसमें गलत कथन शामिल हैं 4.
सामान्य गलती
MOSFET और IGBT दोनों ही करंट-नियंत्रित डिवाइस नहीं हैं।
एग्जाम टिप
उच्च आवृत्ति निम्न/मध्यम वोल्टेज → MOSFET; उच्च वोल्टेज/शक्ति → अक्सर आईजीबीटी।
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