सेमीकंडक्टर मेमोरीज़ के संबंध में निम्नलिखित कथनों पर विचार करें:1.SRAM डेटा भंडारण के लिए बिस्टेबल फ्लिप-फ्लॉप का उपयोग करता है और DRAM की तुलना में तेज़ एक्सेस गति प्रदान करता है।2.DRAM कैपेसिटर पर चार्ज के रूप में डेटा संग्रहीत करता है और डेटा अखंडता बनाए रखने के लिए समय-समय पर ताज़ा करने की आवश्यकता होती है।3.DRAM अपने उच्च घनत्व के कारण SRAM से अधिक तेज़ और महंगा है।उपरोक्त में से कौन सा/से कथन सही है/हैं?
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एसआरएएम प्रत्येक बिट को एक बिस्टेबल लैच/फ्लिप-फ्लॉप-जैसी सेल में संग्रहीत करता है और संचालित होने पर रीफ्रेश की आवश्यकता नहीं होती है, जिससे क्षेत्र की कीमत पर तेज़ पहुंच मिलती है। DRAM एक संधारित्र पर चार्ज संग्रहीत करता है, समय-समय पर ताज़ा करने की आवश्यकता होती है, और प्रति बिट उच्च घनत्व और कम लागत प्राप्त करता है लेकिन आम तौर पर SRAM की तुलना में धीमा होता है।
परीक्षा फोकस: तेज़/कैश → SRAM; सघन/मुख्य मेमोरी → DRAM। सामान्य जाल: DRAM, SRAM की तुलना में प्रति बिट तेज़ या अधिक महंगा नहीं है।
फॉर्मूला / मुख्य संबंध
SRAM: कोई ताज़ा नहीं; DRAM: कैपेसिटर + रिफ्रेश।
विस्तृत व्याख्या
सही उत्तर: ए - केवल 1 और 2त्वरित अवधारणा स्पष्टीकरणएसआरएएम प्रत्येक बिट को एक बिस्टेबल लैच/फ्लिप-फ्लॉप-जैसी सेल में संग्रहीत करता है और संचालित होने पर रीफ्रेश की आवश्यकता नहीं होती है, जिससे क्षेत्र की कीमत पर तेज़ पहुंच मिलती है। DRAM एक संधारित्र पर चार्ज संग्रहीत करता है, समय-समय पर ताज़ा करने की आवश्यकता होती है, और प्रति बिट उच्च घनत्व और कम लागत प्राप्त करता है लेकिन आम तौर पर SRAM की तुलना में धीमा होता है।परीक्षा फोकस: तेज़/कैश → SRAM; सघन/मुख्य मेमोरी → DRAM। सामान्य जाल: DRAM, SRAM की तुलना में प्रति बिट तेज़ या अधिक महंगा नहीं…
सही उत्तर: ए - केवल 1 और 2
त्वरित अवधारणा स्पष्टीकरण
एसआरएएम प्रत्येक बिट को एक बिस्टेबल लैच/फ्लिप-फ्लॉप-जैसी सेल में संग्रहीत करता है और संचालित होने पर रीफ्रेश की आवश्यकता नहीं होती है, जिससे क्षेत्र की कीमत पर तेज़ पहुंच मिलती है। DRAM एक संधारित्र पर चार्ज संग्रहीत करता है, समय-समय पर ताज़ा करने की आवश्यकता होती है, और प्रति बिट उच्च घनत्व और कम लागत प्राप्त करता है लेकिन आम तौर पर SRAM की तुलना में धीमा होता है।
परीक्षा फोकस: तेज़/कैश → SRAM; सघन/मुख्य मेमोरी → DRAM। सामान्य जाल: DRAM, SRAM की तुलना में प्रति बिट तेज़ या अधिक महंगा नहीं है।
विवरण-वार सत्यापन
कथन 1 - सही। SRAM डेटा भंडारण के लिए बिस्टेबल फ्लिप-फ्लॉप का उपयोग करता है और DRAM की तुलना में तेज़ एक्सेस गति प्रदान करता है। एसआरएएम प्रत्येक बिट को एक बिस्टेबल लैच/फ्लिप-फ्लॉप-जैसी सेल में संग्रहीत करता है और संचालित होने पर रीफ्रेश की आवश्यकता नहीं होती है, जिससे क्षेत्र की कीमत पर तेज़ पहुंच मिलती है।
कथन 2 - सही। DRAM कैपेसिटर पर चार्ज के रूप में डेटा संग्रहीत करता है और डेटा अखंडता बनाए रखने के लिए समय-समय पर ताज़ा करने की आवश्यकता होती है। DRAM एक संधारित्र पर चार्ज संग्रहीत करता है, समय-समय पर ताज़ा करने की आवश्यकता होती है, और प्रति बिट उच्च घनत्व और कम लागत प्राप्त करता है
कथन 3 - ग़लत. DRAM अपने उच्च घनत्व के कारण SRAM से अधिक तेज़ और महंगा है। SRAM प्रति बिट तेज़ और अधिक महंगा है; DRAM सघन है और इसे ताज़ा करने की आवश्यकता है
मूल संकल्पना
एसआरएएम प्रत्येक बिट को एक बिस्टेबल लैच/फ्लिप-फ्लॉप-जैसी सेल में संग्रहीत करता है और संचालित होने पर रीफ्रेश की आवश्यकता नहीं होती है, जिससे क्षेत्र की कीमत पर तेज़ पहुंच मिलती है। DRAM एक संधारित्र पर चार्ज संग्रहीत करता है, समय-समय पर ताज़ा करने की आवश्यकता होती है, और प्रति बिट उच्च घनत्व और कम लागत प्राप्त करता है लेकिन आम तौर पर SRAM की तुलना में धीमा होता है।
सूत्र/कुंजी संबंध
SRAM: कोई ताज़ा नहीं; DRAM: कैपेसिटर + रिफ्रेश।
अन्य विकल्प ग़लत क्यों हैं?
विकल्प बी गलत है क्योंकि इसमें गलत कथन 3 शामिल है और सही कथन 1 को छोड़ दिया गया है। विकल्प सी गलत है क्योंकि इसमें गलत कथन 3 शामिल है और सही कथन 2 को छोड़ दिया गया है। विकल्प डी गलत है क्योंकि इसमें गलत कथन 3 शामिल है।
परीक्षा शॉर्टकट/दृष्टिकोण
तेज़/कैश → SRAM; सघन/मुख्य मेमोरी → DRAM।
सामान्य गलती
DRAM, SRAM की तुलना में प्रति बिट तेज़ या अधिक महंगा नहीं है।
त्वरित संशोधन
स्टेटिक बनाम डायनेमिक रैमSRAM और DRAM, मेमोरीज़ और डिजिटल इलेक्ट्रॉनिक्स से जुड़ा हुआ है। तेज़/कैश → SRAM; सघन/मुख्य मेमोरी → DRAM।
क्विक ट्रिक
तेज़/कैश → SRAM; सघन/मुख्य मेमोरी → DRAM।
दूसरे विकल्प गलत क्यों हैं
विकल्प बी गलत है क्योंकि इसमें गलत कथन 3 शामिल है और सही कथन 1 को छोड़ दिया गया है। विकल्प सी गलत है क्योंकि इसमें गलत कथन 3 शामिल है और सही कथन 2 को छोड़ दिया गया है। विकल्प डी गलत है क्योंकि इसमें गलत कथन 3 शामिल है।
सामान्य गलती
DRAM, SRAM की तुलना में प्रति बिट तेज़ या अधिक महंगा नहीं है।
एग्जाम टिप
तेज़/कैश → SRAM; सघन/मुख्य मेमोरी → DRAM।
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